毒龙尼德霍格（Nidhogg，根本意为绝望）尼德霍格居住在世界之树的底部，不断啃咬着世界之树的根部，和它一起的还有无数条毒蛇。

(e)无氟MXenes的电化学方法制备：不知不敢i)Ti3AlC2体相材料的阳极刻蚀过程示意图，ii)电化学电池结构，iii-iv)Ti3AlC2和Ti3C2Tx的截面高分辨TEM。【引言】MXenes是一类具有二维层状结构的过渡金属碳化物/氮化物材料，道过因其独特的物理、道过化学性质以及出色的生物相容性引起了研究者的广泛关注，在能量存储/转化、光电催化、生物医学和传感器等诸多领域呈现了巨大的应用前景。

去也文献链接:Tuning2DMXenesbySurfaceControllingandInterlayerEngineering:Methods,Properties,andSynchrotronRadiationCharacterizations.（Adv.Funct.Mater.2020,DOI:10.1002/adfm.202000869）本文由材料人编辑部噜噜编辑审核。(b)锂离子电池中Sn4+插层V2CMXene的表面结构分析：想象i-ii)V2C和V2C@SnMXenes的高分辨TEM，iii-iv)V2C@Sn电极的O和FK边sXAS谱。根本(e)S原子插层Ti3C2的合成示意图。

不知不敢相关成果以题为Tuning2DMXenesbySurfaceControllingandInterlayerEngineering:Methods,Properties,andSynchrotronRadiationCharacterizations发表在AdvancedFunctionalMaterials上。道过(f)在熔融盐中无氟MXenes的路易斯酸刻蚀效果示意图。

(b)V2C@SnMXenes中Li+动态存储机制的原位XAFS研究：去也i)操作XAFS测试环境示意图，去也ii)在充放电过程中V2C@Sn电极的原位VK边归一化XANES光谱，iii)不同电压下V2C@Sn中V原子平均化合价相比于V2O3和VO2的变化，iv)在前两个充放电过程中，归一化原位SnK边XAFS光谱，v)傅里叶转换后的SnK边EXAFS光谱。

图八MXenes的原位和非原位XAFS研究(a)V2CTx中Na+的插层和储存机制的非原位XAFS研究：想象i)V2CTxMXenes的膨胀/收缩示意图，想象ii)V2CTxMXenes的非原位VK边XANES光谱，iii)归一化后的XANES光谱半高处相应的电压曲线和V吸收边能量变化。他是《纳米学报》（《NanoLetters》）副主任编辑，根本同时也是由美国能源部投资支持的湾区光伏联盟的联合主任。

不知不敢多次入选化学和材料领域高被引科学家。道过2000-2010年发布全球顶尖一百材料学家名人堂榜单名列第六。

2011年入选汤森路透集团发布的2000-2010年全球顶尖100化学家名人堂榜单和全球顶尖100材料学家名人堂榜单，去也9月获得2010年度美国青年科学家总统奖。辐射对微观结构和热、想象电及质量运输的影响。